HGTP10N120BN

Hersteller-Teilenummer:	HGTP10N120BN
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Teil der Beschreibung:	IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
Datenblätte:	1.HGTP10N120BN.pdf 2.HGTP10N120BN.pdf
RoHs Status:	Lead free / RoHS Compliant
Zustand des Lagers:	28278 pcs Stock
ECAD -Modell:
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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ArtikelnummerHGTP10N120BN
HerstellerAMI Semiconductor / ON Semiconductor
BeschreibungIGBT 1200V 35A 298W TO220AB
KategorieDiskrete Halbleiterprodukte > Transistoren-IGBTs-Einzel
Teilstatus28278 pcs Stock
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)1200V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 10A
Testbedingung960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C23ns/165ns
Schaltenergie320µJ (on), 800µJ (off)
Supplier Device-GehäuseTO-220AB
Serie-
Leistung - max298W
VerpackungTube
Verpackung / GehäuseTO-220-3
Andere NamenHGTP10N120BN-ND
HGTP10N120BNFS
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
EingabetypStandard
IGBT-TypNPT
Gate-Ladung100nC
detaillierte BeschreibungIGBT NPT 1200V 35A 298W Through Hole TO-220AB
Strom - Collector Pulsed (Icm)80A
Strom - Kollektor (Ic) (max)35A
HGTP10N120BN Einzelheiten PDF [English]HGTP10N120BN PDF - EN.pdf

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